PHY.08359.01 - Advanced CMOS technology (Vollständige Modulbeschreibung)
PHY.08359.01 | 5 CP |
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Modulbezeichnung | Advanced CMOS technology |
Modulcode | PHY.08359.01 |
Semester der erstmaligen Durchführung | |
Fachbereich/Institut | Institut für Physik |
Verwendet in Studiengängen / Semestern |
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Modulverantwortliche/r | |
Weitere verantwortliche Personen |
NN |
Teilnahmevoraussetzungen | |
Kompetenzziele | Die Studierenden sollen:
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Modulinhalte | 1. Grundlegende Begriffe der CMOS Technologie, Technology nodes, Flächenbedarf 2. Aufbau und Bestandteile von Standard CMOS-Schaltungen 3. Ablauf des Fertigungsprozesses für VLSI Schaltungen, Prozessbeispiele 4. Silicon on insulator Technologie 5. Vorteile und Nutzung von strained silicon und silicon germanium 6. Entwicklung von planarer Technologie zu 3D MOSFETs (FinFET Technologie) |
Lehrveranstaltungsformen |
Vorlesung (2 SWS)
Seminar (1 SWS) Kursus |
Unterrichtsprachen | Deutsch, Englisch |
Dauer in Semestern | 1 Semester Semester |
Angebotsrhythmus Modul | jedes Wintersemester |
Aufnahmekapazität Modul | unbegrenzt |
Prüfungsebene | |
Credit-Points | 5 CP |
Modulabschlussnote | LV 1: %; LV 2: %; LV 3: %. |
Faktor der Modulnote für die Endnote des Studiengangs | 1 |
Modulveranstaltung | Lehrveranstaltungsform | Veranstaltungstitel | SWS | Workload Präsenz | Workload Vor- / Nachbereitung | Workload selbstgestaltete Arbeit | Workload Prüfung incl. Vorbereitung | Workload Summe |
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LV 1 | Vorlesung | Vorlesung | 2 | 0 | ||||
LV 2 | Seminar | Projektseminar | 1 | 0 | ||||
LV 3 | Kursus | Selbststudium | 0 | |||||
Workload modulbezogen | 150 | 150 | ||||||
Workload Modul insgesamt | 150 |
Prüfung | Prüfungsvorleistung | Prüfungsform | |
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LV 1 | |||
LV 2 | |||
LV 3 | |||
Gesamtmodul | mündl. Prüfung oder Klausur |
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Wiederholungsprüfung |
Regularien | Teilnahmevoraussetzungen | Angebotsrhythmus | Anwesenheitspflicht | Gewicht an Modulnote in % |
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LV 1 | Wintersemester | Nein | % | |
LV 2 | Wintersemester | Nein | % | |
LV 3 | Wintersemester | Nein | % |